RAM-News - Produkte und Entwicklung

[Windstar]

Die Form der Heatspreader gefällt mir ganz gut, nur die Aufschrift hätte etwas dezenter sein können.

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Samsung entwickelt DDR3-Speicher in 30 nm
1. Februar 2010, 9:13 Uhr

Samsung hat zum Wochenbeginn die abgeschlossene Entwicklung von DRAM-Chips für Arbeitsspeicher in einer Strukturgröße von lediglich 30 nm vermeldet. Die 2 Gigabit großen Speicherchips sollen in erster Linie weniger Energie verbrauchen, doch auch für den Hersteller gibt es Vorteile.

Wenn die Massenproduktion im zweiten Halbjahr erst einmal gestartet ist, soll die Produktivität bei der Fertigung des neuen 30-nm-Speichers um bis zu 60 Prozent gegenüber aktuellen 40-nm-Chips gesteigert werden. Gegenüber der noch etwas älteren 50-nm-Technologie versprechen die neuen Speicherchips in 30 nm eine um 30 Prozent geringere Leistungsaufnahme. Von den Spezifikationen her bedeutet dies, dass man sowohl für Server, Desktop-PCs und Notebooks Speicherriegel mit Spannungen von 1,5 und 1,35 Volt ausliefern wird. So soll ein fertiges DDR3-Modul in der Größe von 4 GByte für Notebooks dank der neuen Strukturbreite gerade mal drei Watt pro Stunde benötigen.

Quelle: Computerbase News

[Windstar]

Patriot: Neues DDR3-Speicherkit mit 2250 MHz

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Der Hersteller Patriot erweitert seine "Viper II Sector 5"-Serie mit einem neuen Topmodell. Das DD3-Speicherkit wird mit 2250 MHz und Timings von 9-9-9-27 betrieben, ein Heatspreader aus Aluminium sorgt für die Kühlung der Speicherchips. Die Module, auf die eine lebenslange Garantie gegeben wird, konnten bereits auf 2400 MHz übertaktet werden und sprechen deshalb vor allem Overclocker an. Das Kit wird mit zwei 2 GB-Modulen auf den Markt kommen. Die Verfügbarkeit und Preise sind bisher noch nicht bekannt.

Quellen:
hardwareluxx.de